必须了解的薄膜电阻技术的3大进步

自从八十多年前首【shǒu】次提供金属化玻【bō】璃和破裂的碳膜以来，薄膜电阻器技术【shù】已【yǐ】经走【zǒu】了很长【zhǎng】一段路，作为【wéi】替代线绕和【hé】复合材【cái】料的替代方法【fǎ】。金属氧化物是在1950年代【dài】出现的，它【tā】是一种【zhǒng】更【gèng】稳【wěn】定的膜，并被广泛【fàn】应用【yòng】，直到将其研磨成用于精密的金属膜（金属膜电阻）和用于高功【gōng】率用途【tú】的【de】厚膜【mó】（大功率贴片电【diàn】阻）为【wéi】止。然后，这【zhè】两种技术都以【yǐ】新兴的【de】SMD芯片格式采【cǎi】用。这一点在三十多【duō】年前就已实现，并在当【dāng】今【jīn】的薄膜电阻【zǔ】器产品中得到了很【hěn】大的【de】体现。但【dàn】是，认为薄膜电阻器的【de】没有任何变化【huà】是错误的。

本文确定【dìng】了持续发展的三个驱【qū】动因素【sù】，并【bìng】概述了【le】正在做出【chū】的一些【xiē】响应【yīng】。首要的驱动【dòng】因素是减少环境影响，当务之急是通过【guò】立法【fǎ】法规和间接的消【xiāo】费者压力。此后，安全操作区域的持【chí】续【xù】扩【kuò】展，推【tuī】回了限制模拟电路小型化的电气额定值极*。后，通过为【wéi】太空和军事应【yīng】用【yòng】开发的技术【shù】过渡，可【kě】以满足在工业和工业应用【yòng】中对更高水平的稳定性【xìng】和可靠性【xìng】的不【bú】断增长的需求。

确定了对环【huán】境驱动因素的两个【gè】响应。首先是减少【shǎo】了小型化【huà】所反映的整【zhěng】体【tǐ】材料【liào】使用量，其【qí】次是消除了【le】有【yǒu】害物【wù】质。在厚膜电【diàn】阻器领域，这可以从用【yòng】于配制膜材料的玻璃中去除氧【yǎng】化铅中看出。考【kǎo】虑在何种程【chéng】度上减少了对相关【guān】RoHS豁免的持续更新的依赖。

对于第二个驱动器，复查了【le】定义电阻器安全工作【zuò】区域的三个【gè】电气额【é】定值。连续【xù】额【é】定功率【lǜ】，限制元件电【diàn】压和脉冲能量限制【zhì】。每个都已定【dìng】义，并通过实【shí】际示例介绍了中度和极端过【guò】载的结果和故障机【jī】理。讨论【lùn】了这三【sān】个额定值对电【diàn】阻元件的材料，尺寸和几【jǐ】何形状的依【yī】赖性，并参考了将设【shè】计【jì】转换【huàn】为SMD格式并【bìng】*小化占位面【miàn】积的持续【xù】趋势【shì】。然后给出了相【xiàng】对于这【zhè】些额定值的商【shāng】用厚膜贴【tiē】片电阻器【qì】的【de】当前状态【tài】，并讨论了多组件解决【jué】方案及【jí】其隐【yǐn】性成本。然后介绍现有技术和新技术，从而可以【yǐ】扩展三【sān】个等级。

与稳定性【xìng】和可靠性有关【guān】的终驱动力【lì】正【zhèng】在【zài】促使氮化钽技术从其【qí】高可靠性【xìng】起源发展成为精密电阻器应用【yòng】的【de】主【zhǔ】流。将检查与替代【dài】材料有关的差异以及高度加速的寿【shòu】命测试【shì】所表明【míng】的性能优势。

尽管【guǎn】与半导体甚至其他无源【yuán】元件【jiàn】相比【bǐ】，变【biàn】化的速度似乎很慢，但薄【báo】膜电阻器技【jì】术的发展在21世纪仍在【zài】继续。